4月16日國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司申請一項名為“微晶硅氧膜層的制備方法、異質(zhì)結(jié)太陽電池及其制備方法”的專利，公開號CN 119824397 A，申請日期為2024年12月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供微晶硅氧膜層的制備方法。所述微晶硅氧膜層的制備方法首先將沉積有本征非晶硅的單晶硅片送入PECVD工藝腔；然后將所述PECVD工藝腔抽真空，且將其壓力穩(wěn)定在1?10毫巴；接著將輸入所述PECVD工藝腔的射頻RF頻率設(shè)定為高頻以及甚高頻兩個頻率，將所輸入的高頻功率設(shè)定為50?2500瓦，將所輸入的甚高頻功率設(shè)定為2000?10000瓦；之后將所述PECVD工藝腔的溫度穩(wěn)定在160?230攝氏度；然后向所述PECVD工藝腔通入工藝氣體，所述工藝氣體包括SiH4、H2、PH3以及CO2，其中PH3與SiH的體積比為1％10％CO與SiH的體積比為20％?100％；最后經(jīng)預(yù)定沉積時間在所述單晶硅片的本征非晶硅表面沉積預(yù)定厚度的微晶硅氧膜層。本發(fā)明能有效提高微晶硅氧膜層的成膜質(zhì)量并有效改善暗衰現(xiàn)象。

天眼查資料顯示，理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以從事專用設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本23512.8795萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司共對外投資了2家企業(yè)，參與招投標項目11次，財產(chǎn)線索方面有商標信息12條，專利信息122條，此外企業(yè)還擁有行政許可28個。