國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，拉普拉斯（無錫）半導體科技有限公司申請一項名為“太陽能電池制備中的圖形化方法及其應用、太陽能電池”的專利，公開號 CN 118919585 A，申請日期為 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┮环N新穎的太陽能電池制備中的圖形化方法，包括：對設(shè)于硅襯底上的第一摻雜層進行局部激光激活，使第一摻雜層形成第一非激光激活區(qū)和摻雜濃度高于第一非激光激活區(qū)的第一激光激活區(qū)；對第一摻雜層進行濕式熱氧化處理，以在第一摻雜層背離硅襯底的一側(cè)形成氧化層，氧化層包括與第一激光激活區(qū)對應的第一氧化區(qū)和與第一非激光激活區(qū)對應的第二氧化區(qū)，第一氧化區(qū)的厚度大于第二氧化區(qū)的厚度；蝕刻以去除第二氧化區(qū)同時減薄并保留第一氧化區(qū)作為掩膜層；對第一摻雜層進行堿洗去除或減薄第一非激光激活區(qū)以獲得摻雜圖形區(qū)。上述方法工藝簡單且有利于提升太陽能電池的性能并適合工業(yè)規(guī)模量產(chǎn)。還提供一種太陽能電池及其制備工藝。