天眼查知識產權信息顯示，合肥晶合集成(15.000, 0.42, 2.88%)電路股份有限公司申請一項名為“一種多晶硅缺陷的測試結構及其測試方法”，公開號CN202410591928.5，申請日期為2024年5月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種多晶硅缺陷的測試結構及其測試方法，應用于半導體技術領域。具體在本發(fā)明提供的一種多晶硅缺陷的測試結構中，其通過仿照標準單元器件以及SRAM器件中呈U字型形狀的PG晶體管的有源區(qū)結構形狀，設計了一款將多個縮小間距后的U字型形狀有源區(qū)串聯(lián)的測試結構，之后再在每個U字型形狀有源區(qū)上插入多晶硅柵極，得到意想不到的效果是：通過縮小多個U字型有源區(qū)的間距的方式，加劇U字型形狀有源區(qū)與多晶硅柵極的間距和應力效應，從而使得測試結構對多晶硅的漏電以及飽和電流不足缺陷更加敏感，即提高了多晶硅缺陷測試的可靠性和穩(wěn)定性。