在非晶/結(jié)晶硅（a-Si:H/c-Si）界面形成的異質(zhì)結(jié)具有獨特的電子特性，可用于硅異質(zhì)結(jié)（SHJ）太陽能電池。超薄a-Si:H鈍化層的結(jié)合實現(xiàn)了750 mV的高開路電壓（Voc）。此外，n型或p型摻雜的a-Si:H接觸層可以結(jié)晶成混合相，減輕寄生吸收，并提高載流子選擇性和收集效率。

隆基綠能科技股份有限公司Xu Xixiang、Li Zhenguo等人在p型硅片上實現(xiàn)效率為26.6%的SHJ太陽能電池。作者在晶片上采用了磷擴(kuò)散吸雜預(yù)處理策略，并使用了納米晶體硅（nc-Si:H）的載流子選擇性接觸，將p型SHJ太陽能電池的效率大幅提高到26.56%，從而為p型硅太陽能電池建立了新的性能基準(zhǔn)。

作者詳細(xì)介紹了該器件的工藝發(fā)展和光電性能改善。最后，作者進(jìn)行功率損耗分析以確定p型SHJ太陽能電池技術(shù)的未來發(fā)展路徑。

Xiaoning Ru et.al Silicon heterojunction solar cells achieving 26.6% efficiency on commercial-size p-type silicon wafer Joule 2024

DOI: 10.1016/j.joule.2024.01.015

https://doi.org/10.1016/j.joule.2024.01.015