據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，天合光能股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“太陽(yáng)能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)“，公開(kāi)號(hào)CN117673203A，申請(qǐng)日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)。以減少激光輔助燒結(jié)對(duì)硅基底層造成的傷害，從而提高電池性能。一種太陽(yáng)能電池的制備方法，太陽(yáng)能電池具有受光區(qū)域和非受光區(qū)域，太陽(yáng)能電池包括：硅基底層以及設(shè)置于硅基底層的厚度方向的第一側(cè)且位于非受光區(qū)域的第一電極圖案，第一電極圖案至少采用激光輻照工藝進(jìn)行制備；該方法包括：在采用激光輻照工藝制備第一電極圖案之前，在硅基底層的第一側(cè)且至少在第一區(qū)域形成第一激光遮擋層，第一區(qū)域是指從第一電極圖案的邊沿向遠(yuǎn)離第一電極圖案的方向延伸第一距離所覆蓋的受光區(qū)域，第一激光遮擋層用于對(duì)激光照射到受光區(qū)域中的至少第一區(qū)域進(jìn)行遮擋。