金融界2023年12月7日消息，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司申請一項名為“一種TOPCon太陽能電池及其制備方法“，公開號CN117174783A，申請日期為2023年10月。

專利摘要顯示，本發(fā)明屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種TOPCon太陽能電池及其制備方法。本發(fā)明通過采用PECVD+PEALD兩種方式結(jié)合沉積隧穿氧化層。采用PECVD預(yù)先沉積厚度為0.1?0.5nm的薄氧化層，在后續(xù)PEALD工藝中，薄氧化層對基片表面起到一個化學(xué)鈍化的作用，然后采用PEALD工藝在氧化層的基礎(chǔ)上均勻性的沉積一層隧穿氧化層。該生長方式基礎(chǔ)原理為原子層沉積，氧化層的均勻性好，受管內(nèi)氣流，溫度，電場，射頻的影響較小，可以避免完全由笑氣電離生產(chǎn)隧穿氧化層出現(xiàn)的卡點印等電致發(fā)光測試不良，并減少等離子體的轟擊對基片表面的損傷影響，一定程度上提升了TOPCon太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。