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微導(dǎo)納米申請(qǐng)TOPCon太陽(yáng)能電池及其制備方法專利，提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率
金融界2023年12月7日消息，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種TOPCon太陽(yáng)能電池及其制備方法“，公開(kāi)號(hào)CN117174783A，申請(qǐng)日期為2023年10月。
專利摘要顯示，本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種TOPCon太陽(yáng)能電池及其制備方法。本發(fā)明通過(guò)采用PECVD+PEALD兩種方式結(jié)合沉積隧穿氧化層。采用PECVD預(yù)先沉積厚度為0.1?0.5nm的薄氧化層，在后續(xù)PEALD工藝中，薄氧化層對(duì)基片表面起到一個(gè)化學(xué)鈍化的作用，然后采用PEALD工藝在氧化層的基礎(chǔ)上均勻性的沉積一層隧穿氧化層。該生長(zhǎng)方式基礎(chǔ)原理為原子層沉積，氧化層的均勻性好，受管內(nèi)氣流，溫度，電場(chǎng)，射頻的影響較小，可以避免完全由笑氣電離生產(chǎn)隧穿氧化層出現(xiàn)的卡點(diǎn)印等電致發(fā)光測(cè)試不良，并減少等離子體的轟擊對(duì)基片表面的損傷影響，一定程度上提升了TOPCon太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。