今年2月初，公司收到2家產(chǎn)線客戶發(fā)來的駐廠調研需求，簽訂保密協(xié)議后，產(chǎn)線客戶各派技術團隊進駐工廠，對異質結微晶化的摻雜層工藝技術及相應PECVD設備、低銀耗工藝和異質結電池量產(chǎn)線的運行進行跟線、取樣檢測及現(xiàn)場調研，根據(jù)調研結果撰寫了《駐廠調研簡報》。

據(jù)悉，2家產(chǎn)線客戶均是行業(yè)知名企業(yè)，在前期充分技術交流的基礎上，客戶對公司微晶化的摻雜層工藝技術及相應的PECVD設備興趣濃厚，并于2月中旬與下旬分別派出技術團隊進行為期3天的駐廠調研。

客戶在基地量產(chǎn)線調研

簡報評價

微晶+低銀耗技術已具備產(chǎn)業(yè)化條件

《駐廠調研簡報》重點對“微晶化的摻雜層工藝PECVD設備的穩(wěn)定性”、“微晶電池轉換效率達標率”、“低銀耗技術導入規(guī)模量產(chǎn)線的可行性” 以及“應用低銀耗技術產(chǎn)品的性能”等關鍵性指標進行了分析、總結和評價，盡管調研簡報內容各有側重，但是對公司微晶化的摻雜層工藝PECVD設備和低銀耗技術的評價非常近似，簡報提及的幾個要點包括：

1．金石能源微晶化的摻雜層工藝PECVD設備實現(xiàn)了穩(wěn)定的生產(chǎn)，在行業(yè)內具有突破性；

2．微晶化的摻雜層工藝PECVD設備運行平穩(wěn)，產(chǎn)品良率和產(chǎn)品平均轉換效率均達到了廠商標注的閾值區(qū)間；

3．低銀耗技術具有創(chuàng)新性，根據(jù)披露的方案，低銀耗技術降低了50%的低溫銀漿使用量，每瓦銀漿消耗量僅13mg，遠低于行業(yè)的每瓦28mg消耗量；

4．取樣產(chǎn)品檢測結果顯示，金石能源使用低銀耗技術生產(chǎn)的電池產(chǎn)品轉換效率的分布，與未使用低銀耗技術的電池產(chǎn)品沒有明顯差異；

5．微晶工藝加低銀耗技術的方案，在設備、技術和成本各項指標上均達到了行業(yè)較高水準，技術成果可快速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

量產(chǎn)微晶HJT電池

大腔室PECVD更具優(yōu)勢

微晶摻雜層的異質結電池的轉換效率比非晶摻雜層電池的高出0.5%，微晶異質結電池的量產(chǎn)重中之重在于PECVD設備。2020年開始，公司逐步將微晶工藝導入自主研發(fā)的PECVD設備，完成了微晶摻雜層工藝的研發(fā)工作，在具備成熟異質結電池微晶工藝基礎上，推出微晶化的摻雜層工藝PECVD設備。

微晶化的摻雜層工藝PECVD設備采用“大腔室、大產(chǎn)能”設計，沉積膜均勻性更好、精度更高，相應的產(chǎn)品良率也更高，且單機產(chǎn)能大，設備利用率高，更容易實現(xiàn)大產(chǎn)能。PECVD設備采用I+IN+P構造，腔室之間氣體不會交叉污染，工藝穩(wěn)定性高；模塊化的設計可連續(xù)在線鍍膜、連續(xù)生產(chǎn)，保證了產(chǎn)線運行的穩(wěn)定性和產(chǎn)能的持續(xù)提升。

經(jīng)過前期的大量工藝改進和設備調試驗證工作，目前公司微晶異質結電池已經(jīng)具備量產(chǎn)能力。

專利低銀耗技術

背面PVD鍍銅層工藝

低銀耗技術是公司的專利技術，采用全新的濺射鍍膜方式，結合網(wǎng)版設計和新型漿料，可降低50%的低溫銀漿使用量，每瓦銀漿消耗量僅為13mg，產(chǎn)品性能不受影響。

低銀耗技術采用“正面銀漿、背面鍍銅”方案，與常規(guī)的“銀包銅”工藝完全不同，背面采用PVD在線真空鍍銅，避免了電鍍銅工藝的環(huán)保壓力，且成本與電鍍銅工藝相當，柵線電極成本可降至每瓦0.09元，而常規(guī)雙面低溫銀漿印刷電極的成本是每瓦0.2元。低銀耗技術可顯著降低成本，再結合120微米薄片硅片，低銀耗HJT電池成本已與PERC電池相當。

在材料開發(fā)和制作工藝方面，低銀耗技術做到了正面使用銀柵、背面完全覆蓋PVD鍍銅保護層。背面采用PVD鍍銅層工藝，僅需保留少量背面細柵，可大幅度減少銀漿的使用量。此外，背面PVD鍍銅層工藝可使金屬銅和與銀漿電極的接觸電阻的控制達到平衡，而不影響效率，量產(chǎn)工序簡單。

本次2家客戶駐廠調研，與公司形成了良好的溝通機制，也很好地驗證了公司 “微晶化的摻雜層工藝異質結電池量產(chǎn)”的穩(wěn)定性和“低銀耗PVD鍍銅工藝”對成本降低的成效，為后續(xù)合作奠定了良好的基礎。作為異質結裝備與技術服務商，金石能源也將以更優(yōu)異的設備、更先進的技術，為客戶提供更專業(yè)的服務，與客戶共同打造行業(yè)領先的核心競爭力。