1研究背景與內(nèi)容

近來，金剛線切割多晶硅片逐漸成為市場主流，這是因為相對傳統(tǒng)的砂漿線切割工藝，金剛線切割具有切割速度快、精度高、等優(yōu)點，有助于降低成本[1,2]。但金剛線切割多晶硅片表面制絨技術(shù)尚不成熟[3,4]。尋找行之有效的絨面制備方法成為目前研究的熱點。本課題組首次提出采用霧化腐蝕的方法來制備絨面。

2研究結(jié)果與討論

2.1酸霧腐蝕對表面形貌的影響

由圖1可看出，富硝酸的腐蝕液預(yù)腐蝕后，在硅片表面形成蠕蟲狀微米級腐蝕坑。酸液霧化腐蝕會在微米級腐蝕坑上繼續(xù)腐蝕形成納米級孔洞。隨著腐蝕時間的增長，預(yù)腐蝕坑逐漸變淺，邊緣逐漸變圓滑，孔洞的深度和直徑都會增加，最后腐蝕孔洞相互連接，形成裂紋狀紋路。

2.2酸霧腐蝕對硅片反射率的影響

圖2中可以看出，隨著腐蝕時間的增長，反射率先降低后升高。這與腐蝕形貌是有關(guān)系的。微米-納米級復(fù)合形貌使得硅和空氣之間的折射率持續(xù)性變化，能夠大大降低光反射率，但是腐蝕時間過長時，預(yù)腐蝕坑逐漸變淺，使得減反射效果降低。

2.3酸霧腐蝕對少子壽命的影響

由表1可以看出，相同的反應(yīng)溫度下，隨著霧化反應(yīng)時間的延長，少子壽命先變長后變短;而在相同的反應(yīng)時間下，隨著霧化反應(yīng)溫度的降低，少子壽命大體趨于先上升后下降。綜合少子壽命和反射率兩方面因素，我們選取308K，霧化腐蝕反應(yīng)10min的工藝參數(shù)，制備的電池片效率為18.01%。

3結(jié)論

本文提出使用霧化腐蝕法進(jìn)行金剛線切割多晶硅片的表面制絨，制備的電池片效率為18.01%，高于相同硅片采用常規(guī)制絨的電池片17.08%。進(jìn)行工藝優(yōu)化后有望能進(jìn)一步提高電池效率。