中國科學(xué)院院士、中山大學(xué)校長許寧生代表介紹，我國第三代太陽能技術(shù)——“高倍聚光太陽能”關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)獲得突破，其核心“砷化鎵芯片技術(shù)”使光電轉(zhuǎn)換效率從第一代單晶硅、多晶硅的14%提高到目前的28%。高倍聚光太陽能實(shí)驗(yàn)階段發(fā)電成本在0.6元/千瓦時，遠(yuǎn)期可做到0.3元/千瓦時。