·Applied Centura Avatar系統(tǒng)克服挑戰(zhàn)，刻蝕全新的三維NAND閃存芯片

·在同一工藝中實現(xiàn)80:1深寬比結(jié)構(gòu)和漸變深度差異很大結(jié)構(gòu)的刻蝕

·已經(jīng)向客戶交付30多個腔體

2012年6月28日，上海——應(yīng)用材料公司推出了Applied Centura®Avatar™電介質(zhì)刻蝕系統(tǒng)，提升了尖端刻蝕技術(shù)。該突破性系統(tǒng)能夠解決三維存儲結(jié)構(gòu)制造過程中所面臨的最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，提供未來數(shù)據(jù)密集型移動終端所需的高密度萬億比特存儲能力。

應(yīng)用材料公司副總裁兼刻蝕事業(yè)部總經(jīng)理Prabu Raja博士表示：“借助Avatar系統(tǒng)，我們能夠充分利用自身在等離子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，應(yīng)對三維存儲結(jié)構(gòu)制造過程中前所未有的挑戰(zhàn)。制造這些存儲結(jié)構(gòu)需要對復(fù)雜的多重疊層材料進行深度刻蝕。客戶對于這款新系統(tǒng)所具備的突破性功能非常感興趣。我們已經(jīng)向多家客戶交付了30多個針對關(guān)鍵應(yīng)用的腔體，有些被用于未來存儲芯片的試生產(chǎn)。”

Applied Centura_Avatar_刻蝕系統(tǒng)-1

Avatar系統(tǒng)經(jīng)過全新設(shè)計，能夠刻蝕三維NAND存儲陣列標(biāo)志性的高深寬比結(jié)構(gòu)。這一令人興奮的新型閃存器件有多達64層的存儲單元垂直重疊于其中，從而在極小區(qū)域內(nèi)獲得超高的比特密度。

該系統(tǒng)能以高達80:1的深寬比，在復(fù)雜的薄膜疊層中刻蝕通孔和溝槽。此外，這款系統(tǒng)還同時實現(xiàn)了精確刻蝕漸變深度差異很大的結(jié)構(gòu)的目標(biāo)——這對于制造將每層存儲單元與外界相連接的“階梯式”接觸結(jié)構(gòu)至關(guān)重要。

Applied Centura_Avatar_刻蝕系統(tǒng)-2

Avatar系統(tǒng)是應(yīng)用材料公司將在SEMICON West 2012展會（7月10-12日）上展示的多個全新芯片制造技術(shù)之一。

應(yīng)用材料公司（納斯達克：AMAT）是一家全球領(lǐng)先的高科技企業(yè)。應(yīng)用材料的創(chuàng)新設(shè)備、服務(wù)和軟件被廣泛應(yīng)用于先進半導(dǎo)體芯片、平板顯示器和太陽能光伏產(chǎn)品制造產(chǎn)業(yè)。我們的技術(shù)使智能手機、平板電視和太陽能面板等創(chuàng)新產(chǎn)品以更普及、更具價格優(yōu)勢的方式惠及全球商界和普通消費者。在應(yīng)用材料，我們應(yīng)用今天的創(chuàng)新去成就明天的產(chǎn)業(yè)。