據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，美國Silicon Genesis于2009年3月4日宣布，開發(fā)出幾乎不產(chǎn)生切屑就可制造出厚僅20μm的單結(jié)晶硅“PV Foil（太陽能電池箔）”的技術(shù)。該公司在08年7月開發(fā)出了50μm厚的硅晶圓制造技術(shù)。此次，因厚度減薄至20μm，成為“非硅晶圓、非薄膜的新型品種”（該公司），所以稱之為“箔型”。

   制造技術(shù)的名稱與50μm厚的硅晶圓一樣為“PolyMax”?！埃ê?～2μm）薄膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是硅用量少，單結(jié)晶硅晶圓的優(yōu)點(diǎn)是效率高。而20μm厚的箔型太陽能電池兼有二者的優(yōu)點(diǎn)”（該公司）。